用途：MLCC 切片失效分析、微观结构观测，属于破坏性分析设备。

将 MLCC 样品镶嵌、研磨、抛光后，观察陶瓷介质层、内部电极、端电极截面。

可检查介质层厚度均匀性、电极错位、内部裂纹、空洞、分层、瓷体崩缺、端电极浸润不良等失效形貌。

常用于失效样品解剖、工艺验证、对比分析，是 MLCC 失效分析最核心的观察设备。

典型输出：金相切片照片，判断裂纹起源、分层位置，定位失效根因。

用途：MLCC 核心电性能基础测试，来料必测仪器。

测量：电容 C、损耗因子 DF (tanδ)、ESR 等效串联电阻、阻抗 Z。

测试条件：标准 1kHz/1MHz，0.5Vrms~1Vrms 交流小信号，部分机型支持叠加直流偏置电压，模拟实际工作偏压下容值衰减（ClassⅡ 材质 X7R/X5R 容量跌落特性）SAMSUNG EL...。

使用场景：来料抽检、环境试验前后对比、寿命试验前后参数复测；判断容值超差、损耗异常。

用途：MLCC 交直流耐压测试，考核陶瓷介质抗击穿能力。

参数能力：AC 0 5kV，DC 0 6kV，可设置缓升电压、测试保持时间、漏电流判定阈值，带电弧侦测，识别介质微电弧击穿HIOKI...。

MLCC 测试项目： 1）直流耐压：施加高于额定电压，检测介质是否击穿； 2）交流耐压安规测试； 3）击穿电压 BDV 测试，找到 MLCC 介质击穿临界点。

可筛选介质存在隐性缺陷、针孔、微裂纹的样品，测试后再复测 LCR、绝缘电阻观察是否隐性损伤。

用途：测量 MLCC 介质绝缘电阻 IR，评估漏电流大小。

在 MLCC 两端施加规定 DC 电压，测量介质绝缘阻抗；好的 MLCC 绝缘电阻数值很高（GΩ~TΩ 级别），绝缘下降代表介质劣化、受潮、内部微裂纹。

应用场景：来料检验；恒温恒湿、寿命试验前后检测；高温高湿试验后最容易出现 IR 跌落失效。

现象：样品失效时绝缘电阻急剧变小，漏电流变大。

用途：模拟温湿度环境应力，做湿热可靠性试验。

精准可控温度 + 湿度，常用测试条件：85℃/85% RH（高温高湿），也可做低温湿热。

MLCC 典型试验：高温高湿负荷（可带电）、湿热储存试验。

考核：潮湿环境下陶瓷介质、端电极抗劣化能力，暴露吸湿导致绝缘电阻下降、电化学腐蚀失效。试验完成后取出，复测 LCR、绝缘电阻对比参数变化。

用途：温度冲击（温度循环）测试，考核热胀冷缩机械应力耐受能力。

样品快速在高温区、低温区来回切换，短时间完成巨大温差变化（例如 55℃ ↔125℃）。

模拟整机环境急剧冷热变化，重点激发 MLCC 热应力裂纹：瓷体裂纹、内电极断裂、端电极开裂。

测试完成后，外观检查 + LCR + 绝缘电阻复测，排查出现隐性裂纹的器件。

用途：MLCC 耐久性（高温负载寿命）测试，评估长期工作可靠性，加速老化试验。

在高温环境（常见 125℃），同时给 MLCC 持续施加直流额定电压（甚至过压加速）长时间运行（几百～1000h 以上）。

设备配套：高温腔体、多路直流加压单元、通道漏电流实时监控。

监控指标：实时监测每颗样品漏电流变化；试验前后对比电容、损耗、绝缘电阻。

目的：模拟元器件长期服役工况，暴露介质老化、早期击穿失效；计算器件失效率、FIT 寿命预估，是高可靠 MLCC 最重要验证项目。